منابع مشابه
Hot-wire anemometry for superfluid turbulent coflows.
We report the first evidence of an enhancement of the heat transfer from a heated wire to an external turbulent coflow of superfluid helium. We used a standard Pt-Rh hot-wire anemometer and overheat it up to 21 K in a pressurized liquid helium turbulent round jet at temperatures between 1.9 K and 2.12 K. The null-velocity response of the sensor can be satisfactorily modeled by the counterflow m...
متن کاملاندازه گیری تحریک لایه مرزی در تونل باد به کمک hot wire
در این پایان نامه به مطالعه رفتار جریان آشفته روی صفحه تخت،که لایه مرزی مغشوش آن با قرار دادن مانع ذوزنقه ای و مربعی تحریک شده با استفاده از دستگاه جریان سنج سیم داغ پرداخته شده است. همچنین اثر تحریک لایه مرزی بر سرعت متوسط و شدت اغتشاشات در پشت مانع ذوزنقه ای و مربعی درفواصل مختلف مانع ازصفحه و در ایستگاه های مختلف بررسی شده است. نتایج بدست آمده نشان می دهد هرچه فاصله مانع از صفحه بیشتر شود تد...
15 صفحه اولRelation Between Wire Resistance and Fluid Pressure in the Transient Hot-Wire Method
The resistance of metals is a function of applied pressure, and this dependence is large enough to be significant in the calibration of transient hot-wire thermal conductivity instruments. We recommend that for the highest possible accuracy, the instrument's hot wires should be calibrated in situ. If this is not possible, we recommend that a value of γ, the relative resistance change with press...
متن کاملSpatial resolution correction for hot-wire anemometry in wall turbulence
We investigate spatial resolution issues in hot-wire anemometry measurements of turbulence intensity and energy spectra. Single normal hot-wire measurements are simulated by means of filtering direct numerical simulation (DNS) of turbulent channel flow at Res 1⁄4 934. Through analysis of the two-dimensional energy spectra from the DNS, the attenuation of the small-scale energy levels is documen...
متن کاملThin-Film Transistors Obtained by Hot Wire CVD
(1) Departament d'Enginyeria Electrònica. Jordi Girona 1-3, Mòdul C4. Universitat Politècnica de Catalunya (Barcelona, Spain). (2) Departament d'Enginyeria Electrònica. Universitat Rovira i Virgili (Tarragona, Spain). (3) Departament de Física Aplicada i Òptica. Universitat de Barcelona (Barcelona, Spain) Abstract Hydrogenated microcrystalline silicon films obtained at low temperature (150oC-28...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Review of Scientific Instruments
سال: 1956
ISSN: 0034-6748,1089-7623
DOI: 10.1063/1.1715443